坂本健一的这番话，如同暮鼓晨钟，再次点燃了年轻工程师们心中的火焰。他们知道，自己正在参与的，是一项足以载入史册的伟大事业！
而在DRAM内存的研发战线上，坂本健一同样展现出了他作为“存储教父”的深厚功力。
他深知DRAM的技术迭代虽然看似没有3D NAND那般“日新月异”，但其对制造工艺的极致要求和专利壁垒的森严程度，却有过之而无不及。
因此，在DRAM的技术路线上，他采取了更为稳健和务实的“两步走”策略：
第一步，先从相对成熟的DDR3和低功耗LPDDR3技术入手。这一方面是为了让团队快速积累DRAM核心单元的制造工艺经验和参数优化能力；
另一方面，也是为了尽快拿出能够满足启明芯自家中低端“天枢”SoC和部分物联网设备需求的、具有一定性价比的DRAM产品，为“神农存储”计划实现初步的“自我造血”。
第二步，则是在掌握了核心工艺和积累了足够人才之后，再集中力量，向代表着未来高性能计算和服务器市场方向的DDR4、DDR5乃至HBM等更先进的技术节点，发起全面冲击！
即便如此，DRAM的研发之路，也同样充满了挑战。
特别是在核心的深沟槽电容制造工艺上，如何在保证极高深宽比的同时，实现沟槽内壁介电薄膜的均匀覆盖和无缺陷填充，一直是困扰业界的顶级难题。
与此同时，“神农1号”超级晶圆厂的建设，也在孙振南的亲自督导下，在华夏中部武省省会城市的高科技产业新区，如火如荼地进行着。
这座占地数千亩、首期总投资额高达百亿美金的超级工厂，其设计标准完全对标三星和台积电最先进的12英寸晶圆厂。
光是其核心生产区那座巨大无比的、对空气洁净度和温湿度控制要求达到极致的超净厂房的建设，就耗费了天文数字的资金和难以想象的工程技术。
而在最关键的生产设备采购环节，启明芯也再次遭遇了来自国际存储巨头的“无形之手”的阻挠。
ASML的最新款NXT系列沉浸式光刻机、LAM和TEL的先进刻蚀与薄膜沉积设备、AMAT（的离子注入和化学机械抛光（设备……这些代表着全球半导体制造最高水平的“国之重器”，其产能和出口，都或多或少地受到M国政府和存储寡头联盟的暗中影响。
赵晴鸢和黄耀龙的团队，不得不再次在全球范围内展开艰苦卓绝的商业谈判和战略博弈。
他们充分利用启明芯在全球科技产业中的巨大影响力、与中东主权财富基金的战略合作关系、以及华夏国家层面在重大科技项目上的政策支持，多管齐下，威逼利诱，才勉强确保了“神农1号”核心设备能够按计划、分批次地交付到位。
其过程之艰难，堪比一场没有硝烟的“世界大战”。
然而，就在“神农存储”的研发团队在实验室里挥汗如雨、晶圆厂的建设工地上塔吊林立之际，一个足以载入华夏半导体产业史册的、小小的、但却意义非凡的突破，终于在坂本健一和他的团队手中，悄然诞生了！
在启明芯深川中央研究院P3级超净实验室的一间小型测试车间内。
经过了长达数个月、数千次失败的实验之后，一片由“神农存储”团队自主设计、并利用启明芯内部小型实验线制造出来的、包含了一小块128层3D NAND Fsh测试芯片阵列的12英寸晶圆，成功地通过了初步的电学性能测试！
虽然这仅仅是一颗测试芯片，其存储密度、读写速度和良品率都还远未达到商业化量产的标准。
但是，它清晰地证明了，坂本健一提出的那套关于超高堆叠3D NAND的技术路线图，以及林轩寄予厚望的“AI赋能制造”的理念，是完全可行的！
当坂本健一颤抖着双手，从测试探针台上取下那颗小小的、闪烁着金属光泽的测试芯片，通过高倍电子显微镜，清晰地看到那如同微缩摩天大楼般、整齐排列的128层存储单元结构时，这位年过花甲的东瀛老人，再次热泪盈眶！
“林先生……我们……我们初步成功了！”他在第一时间，拨通了林轩的加密视频电话，声音因为激动而哽咽，“虽然只是万里长征的第一步，但我们……我们终于在华夏的土地上，用我们自己的双手，点亮了第一颗真正属于未来的、超高密度NAND Fsh的‘希望之火’！”
林轩在屏幕那头，也露出了欣慰而激动的笑容。
他知道，这颗小小的测试芯片，对于整个“开天计划”而言，其意义，甚至比“东方屏”的量产和“鹰眼”的发布，都更为重大！
因为它标志着，华夏，在存储芯片这个被誉为“现代工业皇冠上的明珠”的、技术壁垒最高、也最受制于人的领域，终于拥有了属于自己的、可以燎原的“星星之火”！
“坂本先生，您和您的团队，创造了历史！”林轩由衷地赞叹道，“这不仅仅是一颗芯片，这是我们打破垄断、实现自主的‘奠基石’！是‘神农精神’的最好体现！”
他知道，接下来的路，依然漫长。但有了这第一颗“火种”，他坚信，在不久的将来，“神农存储”的熊熊烈焰，必将燃遍整个世界！