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第345章 坂本的执念 - DRAM的曙光(2 / 2)

“沟槽的形貌控制……侧壁的钝化……高K介质的原子层沉积均匀性……顶部多晶硅填充的致密性……每一个环节,都还有优化的空间!”坂本健一喃喃自语,仿佛完全沉浸在了自己的技术世界里。

他那佝偻的背影,在明亮的灯光下,显得有些孤寂,却又透着一股令人肃然起敬的、永不言败的坚韧!

“伏羲,调出最近一百批次沟槽刻蚀失败晶圆的所有工艺参数和缺陷分布数据,进行深度关联性分析。重点关注等离子体功率、腔体压力、刻蚀气体配比、以及晶圆边缘温度梯度,与沟槽形貌变异之间的非线性耦合关系。”

“我要在三个小时内,看到所有潜在的、能够将刻蚀均匀性再提升0.5个标准差的参数优化窗口!”

坂本健一突然对着空气下达了指令。

控制室内的工程师们都愣了一下,随即反应过来,坂本先生这是在直接向远在香江总部的“伏羲”AI超算平台下达“指令”!

是的,在林轩的坚持下,“伏羲”AI平台不仅仅应用于NAND产线,也同样深度介入到了DRAM的研发和工艺优化之中。

虽然DRAM的工艺“黑箱”更难被AI所理解和学习,但“伏羲”凭借其强大的算力和海量数据分析能力,依然能够为坂本健一提供许多超越人类经验的“洞察”和“灵感”。

比如,它能够从数百万个看似无关的工艺参数组合中,通过复杂的机器学习模型,找到那些对沟槽电容的漏电特性或刷新时间影响最大的、隐藏最深的“关键少数”;

它也能够根据输入的材料特性参数,通过量子化学和分子动力学模拟,预测其在特定工艺条件下的微观行为,并给出优化建议。

坂本健一,这位经验丰富的“工艺活字典”,与“伏羲”AI这个不知疲倦的“超级智慧大脑”,正在以一种独特的方式,进行着一场“人机协同”的极限攻坚!

时间,在无尽的实验、分析、调整、再实验的循环中,一分一秒地流逝。

庐州的这个冬天,似乎格外的漫长。

就在所有人都快要被这种高强度的、看不到尽头的研发压力压垮的时候,在一个寒冷的、万籁俱寂的深夜。

DRAM实验产线的测试探针台上,一片刚刚完成了所有制造工序、编号为“SN-DDR3-Proto-X999”的测试晶圆,正在进行着最后的功能与时序验证。

坂本健一亲自守在测试仪器前,眼中布满了血丝,但精神却异常专注。

他和他带领的核心团队,在过去几周,根据“伏羲”AI平台提供的一系列“匪夷所思”但又“逻辑自洽”的工艺参数优化建议,对深沟槽刻蚀、高K介质沉积、以及退火等关键工艺步骤,进行了一次大胆的、近乎“颠覆性”的调整。

这,几乎是他们最后的尝试了。如果这次再失败,整个DRAM项目的前景,将不堪设想。

测试程序启动。

电压、电流、时钟、地址线、数据线……各项基础参数扫描正常。

然后,是核心的存储单元读写与数据保持测试!

屏幕上,代表着数百万个DRAM存储单元状态的测试图形,开始以极高的速度刷新和变化。绿色,代表通过;红色,代表失败。

最初,屏幕上依然是令人绝望的、大片大片的红色。

但渐渐地,随着测试的深入,随着AI控制器开始介入,对那些“体质稍弱”的存储单元进行实时的时序调整和刷新率优化……

奇迹,发生了!

屏幕上的红色标记,如同退潮般,开始迅速减少!取而代之的,是大片大片令人心旷神怡的、代表着“通过”的绿色!

最终,当整个测试流程结束时,屏幕上显示的、能够稳定通过所有读写和数据保持测试的有效存储单元的比例,竟然奇迹般地达到了——百分之七十二!

虽然这个良率距离大规模量产还有差距,但相比之前那惨不忍睹的个位数,这绝对是一个石破天惊的、里程碑式的巨大飞跃!

这意味着,在采用了AI赋能的全新工艺流程和智能主控之后,启明芯的DRAM技术,终于叩开了成功的大门!

“通……通过了……”负责操作测试仪器的年轻工程师,看着屏幕上那片耀眼的绿色,声音颤抖,几乎不敢相信自己的眼睛。

坂本健一布满皱纹的脸上,肌肉在剧烈地抽搐着。他伸出同样在微微颤抖的双手,缓缓地摘下了脸上的高倍放大眼镜。

然后,两行滚烫的、混杂着激动、疲惫、欣慰、以及无尽感慨的泪水,从他那双饱经沧桑的眼眸中,汹涌而出!

他成功了!他真的成功了!

在远离故土的华夏,在几乎不可能的条件下,他带领着一支年轻的团队,凭借着永不放弃的执念和对技术的极致追求,再次创造了一个属于存储芯片的奇迹!

DRAM的曙光,终于在庐州这座不眠之城的上空,冉冉升起!

虽然,这仅仅是万里长征的第一缕微光。

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